A 股存储公司大多在中下游（设计 / 封测 / 模组 / 分销），最赚钱的颗粒制造环节国内，目前未上市。

在整个存储的产业链中，利润高度向上游原厂集中，海外寡头拿走 75% 以上行业利润，下游模组或分销，只是加工搬运，利润较薄。

据韩国媒体ZDNet报道，存储巨头三星正推动2026年第三季度新一轮存储芯片涨价。三星电子正在与客户进行强势谈判，希望将第三季度DRAM平均销售价格较上一季度最多上调20%。

存储三巨头之一的美光科技，7月4日在日本西部工厂的存储芯片产能扩建项目上破土动工，这是一项耗资1.5万亿日元(大约93亿美元)的超级产能扩张工程，旨在生产最先进制程与先进封装体系打造出的HBM/DRAM/NAND存储芯片。

6月29日，韩国梭哈国运押注AI存储赛道，三星、SK 两大集团当场官宣十年超级投资计划，两家合计投入超 2000 万亿韩元，折合 1.3 万亿美元，其中超一半资金全部押注存储芯片赛道。

存储芯片，作为是芯片行业的第二大产业（第一大是CPU、GPU等逻辑芯片），当前正处于AI驱动的超级周期。涨价核心是AI算力带来比特需求爆发，三巨头（三星、海力士、美光）优先把产能转向高毛利HBM，挤压通用存储供给。

巨头虽持续扩产，但晶圆厂建设爬坡要2.5-3年，新增产能2028年前难以大规模释放，短期无法填补供需缺口、抑制涨价，供需失衡会持续拉长本轮涨价行情。

今天我们从另外维度，再次梳理存储行业。

从：① 存储的分类：DRAM+NAND占比超96%；② DRAM和 NAND技术迭代分析；③ 产业链价值占比分析；④ 全球市场瓜分：吃肉、喝汤、啃骨头；⑤ 总结&展望；等五个维度来解析。

一、存储的分类：DRAM+NAND占比超96%

从大类上看，存储分为半导体存储、 磁存储、光存储等三大类：其中，①半导体存储，主要为DRAM+NAND/NOR，约占整个存储市场的75%；② 磁存储（HDD机械硬盘）约24%：仅冷存储、大容量归档刚需支撑；③ 光存储（光盘/蓝光归档）不足1%，仅金融、档案小众场景，市场极小。

在半导体存储中，根据掉电后数据是否可以继续保存在器件内，存储芯片可分为易失性和非易失性两种。

易失存储芯片（RAM）主要包含静态随机存取存储器（SRAM，市场占比约1%）和动态随机存取存储器（DRAM，占比约99%）；

非易失性存储器主要包含可编程只读存储器（ PROM ） 、 闪 存 存 储 器 （ Flash ） 、 可 擦 可 编 程 只 读 存 储 器（EPROM/EEPROM）等。其中，“闪存（Flash）市场中，NAND Flash占比约95%，NOR Flash仅占5%。

在当前的存储芯片市场中，DRAM+NAND Flash占据了整个半导体存储市场约96%份额，是存储芯片行业的基石，其它新兴产品技术占比不到3%。

下图：存储芯片分类-思维导图

下表：DRAM和NAND 对比表：

二、DRAM和 NAND技术迭代分析

1、DRAM：DDR5引领，DDR6在路上

DDR全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，即双倍数据速率同步动态随机存取存储器，简称 DDR SDRAM，DDR行业默认为DDR型的DRAM。

2000年，DDR SDRAM通过在时钟上升沿和下降沿传输数据，将带宽提升至SDRAM的2倍。随后DDR2（2003年）、DDR3（2007年）、DDR4（2014年）和DDR5（2020年）相继推出，预取位数从2bit提升至16bit，能效比显著优化。

在带宽上，DDR5 6400MT/s带宽51.2GB/s，是DDR4 3200MT/s（25.6GB/s）的2倍；功耗能效上DDR5电压从DDR4的1.2V降至1.1V。

凭借更高的带宽、更低的功耗与能效优势，DDR5正迅速取代DDR4成为服务器与高端PC的标配。据行业预测，2026年服务器市场中DDR5的渗透率将突破50%，完成主流化切换。

当前，三星、美光、SK海力士已启动DDR6研发，目标进一步提升数据传输速率与能效比。预计2027-2028年完成样品验证并逐步推向市场。

2、HBM：主力为第五代HBM3E，长鑫在攻关第四代HBM3

HBM即高带宽内存，一种基于3D堆叠技术的DRAM，AI GPU配套高速显存，是数据中心高端大模型训练与AI推理的标配。

自2018年HBM2量产以来，HBM已完成从HBM2、HBM2e到HBM3、HBM3e的快速迭代，并逐步向HBM4（2025年开始）演进。HBM堆叠层数由4/8层逐步提升至12层，并进一步向16层演进，单颗容量由HBM2的4~8GB提升至HBM3e的24~48GB。

通道数量上，由HBM2的8通道升级至HBM3/3e的16通道，HBM4进一步扩展至32通道，通过提升并行传输能力满足AI训练和推理对海量数据吞吐的需求。

HBM市场由SK海力士、三星和美光占据，2025年SK海力士以绝对优势占据市场58.3%份额，三星和美光各自占比约20%左右。

其中HBM主流产品为HBM3e系列，占整个市场96.3%，HBM3以及HBM2e系列分别占2.2%与1%，逐渐被市场淘汰。HBM4系列2025年尚未实现大规模量产，市场还处于验证阶段，仅占比0.6%，HBM4是2026-2027的下一代标准。

国内的长鑫存储与国外代差是2代以上，跳过HBM2E，当前主攻HBM3（第四代），预计2026年底到2027年实现小规模量产。另外积极研发HBM3E（第五代），正努力扩产追赶中。

3、NAND Flash ：3D堆叠进入300层时代

三星26年3月关停2D NAND生产基地华城Line 12厂改造为DRAM后端工厂，铠侠、美光也将削减2D SLC NAND产能，行业转向3D NAND 堆叠 + 晶圆键合双路线。3D闪存堆叠层数绝非单一工艺技术指标，而是平衡芯片存储容量、制造成本、良率管控的核心竞争支点。堆叠层数提升可单片承载更多存储单元，同等晶圆面积下容量大幅跃升，摊薄单位比特生产成本，构筑显著价格壁垒。

行业竞争焦点已转向超高层数量产能力，率先稳定突破千层级堆叠工艺、打通规模化量产链路、兼顾良率与可靠性的厂商，将占据行业格局的主导位置。

当前 NAND 以 300 层级 3D 堆叠 + 晶圆混合键合为核心迭代方向，海外三强 + 铠侠西数量产 286–321 层，长江存储靠Xtacking实现技术突围，成功绕开海外BiCS/V-NAND专利；QLC 全面商用、PLC 短期无法落地，接口向高速 PCIe5.0/4800MT/s 升级，迭代重心从堆层数转向先进键合与 AI 专用高带宽闪存架构。

下图：长江存储晶栈^®Xtacking^® 技术详解

三、产业链价值占比分析

存储芯片 产业链按价值分配自上而下分成 6 大环节，各环节定位、价值占比、利润分配格局如下：

① 设计端（Fabless/IDM 设计）：价值占比 60%，全链利润最高；

② 晶圆制造端（Fab/IDM）：价值占比 19%，重资产寡头赛道；

③ 封装测试端（OSAT）：价值占比 12%，先进封装打开增量；

④ 模组集成端（Module）：价值占比≈5%，周期弹性大；

⑤ 分销 / 应用端：价值占比≈4%，纯流通薄利环节；

⑥ 设备与材料（贯穿全链）：底层刚需，确定性最强。

产业链价值顺序为：设计60% ＞ 制造19%＞封测12%＞模组~5%＞分销4%。

如上图：中国存储公司，目前利润和价值占比偏低的，根本原因在于：

中国存储上市公司主要集中在③封测、④模组、⑤分销等中下游环节，如江波龙、佰维、朗科、德明利、深科技、香农芯创等，价值占比合计约21%；

最核心、最赚钱的①设计(60%)中，A股仅占利基型存储（NOR/接口芯片等小众市场）一隅，如兆易、君正、东芯、普冉等公司；主流DRAM/NAND/HBM设计仍由全球三巨头垄断；② 制造(19%)的两大核心玩家长江存储、长鑫存储尚未上市。

四、全球市场瓜分：吃肉、喝汤、啃骨头

（一）吃肉：存储颗粒原厂--赚大头

吃大块肉

1、三星（Samsung）：全品类存储No.1

DRAM & NAND 双料冠军：2026Q1DRAM全球市占38%，NAND全球市占率29%。2025年营收规模达到约2,283亿美元，凭借全产品线优势持续领跑存储市场。

战略聚焦：积极推进HBM4和400层以上NAND技术研发；西安工厂逐步淘汰旧产线，全面转向更高层数、更高性能的存储产品生产，巩固技术壁垒。

2、SK海力士（SK Hynix）：HBM全球绝对龙头

DRAM全球第二、HBM全球第一：DRAM2026年Q1全球市占29%，HBM全球市占58%，为绝对龙头（HBM三星为21%，海光21%）。2025年营业收入约730亿美元，专供英伟达高端AI算力，在高带宽内存赛道建立了显著的技术与产能优势。

战略聚焦：率先实现300层以上 NAND 和 HBM4 量产；韩国M15X 新工厂将专注于HBM4及后续先进产品生产，深度绑定AI芯片厂商需求。

3、美光（Micron）：美系存储龙头，主打低功耗企业/车载存储

DRAM全球第三、NAND全球第四：美光 DRAM2026年Q1全球市占率22%，全球第三；NAND为13%，均为全球第四。2025年营收达373亿美元，凭借成熟的技术积淀与产能布局，稳固占据全球存储市场核心席位。

战略聚焦：加速推进HBM产能建设，同时在纽约州规划新建专业HBM工厂，针对性布局以快速响应全球AI算力需求的爆发式增长。

吃小块肉

4、长鑫存储（CXMT）：国产DRAM独苗，HBM尚在试产

全球份额达8%，国内市占率超80%：全球第四大DRAM厂商（仅次于三星、SK海力士、美光），全球市占率约8%。在国内唯一实现DRAM大规模量产的IDM（垂直整合制造）企业，市占率超80%，主打DDR5/LPDDR5，全面覆盖消费电子、服务器及工控等主流应用场景。

通过“跳代研发”策略直接切入DDR5领域，产品良率突破90%，性能指标与国际先进产品高度对标，打破了国外厂商在高端DRAM领域的长期垄断。积极布局HBM3，预计2026年年底底实现HBM3小批量量产，月产能将达30万片，进一步向高端高带宽存储市场迈进，完善产品矩阵。

长鑫于2026年6月12日，获证监会下发IPO注册批文，预计7月中下旬至8月初正式挂牌上市，拟募资295亿，或将成为A股年内最大IPO。

5、铠侠（Kioxia）：专注于NAND闪存和固态硬盘SSD

铠侠的前身是日本东芝存储器（Toshiba Memory）。东芝于1987年发明了NAND闪存，2017年，东芝存储器从东芝集团剥离，成为独立公司，并于2019年正式更名为“铠侠”铠侠总部位于日本东京，是NAND闪存市场的全球头部企业，2026年Q1全球第三位。

铠侠是NAND闪存的发明者，其核心3D闪存技术为BiCS FLASH，广泛应用于智能手机、PC、汽车和数据中心等领域。固态硬盘（SSD）提供企业级、数据中心级和客户端（消费级）SSD，覆盖PCIe Gen4/Gen5、SAS等接口，满足不同场景的存储需求。

6、长江存储（YMTC）：国产3D NAND龙头，自研Xtacking

与长鑫的DRAM不同，长江存储s是中国唯一具备3D NAND闪存完整IDM能力的企业，采用创新的“电路层”与“存储层”独立加工再键合的架构，自研Xtacking294层3D NAND堆叠的技术瓶颈，大幅提升芯片性能与生产效率，构建了独特的技术护城河。

2026年Q1在全球NAND Flash市场中份额为13%，为全球第六大供应商，在消费级、企业级存储市场均实现规模化出货。

计划2026年底将市场份额提升至15%，长期目标占据全球约20%的市场份额，持续加大先进制程研发投入，巩固在存储领域的核心地位。

7、闪迪（Sandisk）：消费级存储卡和U盘市场第一

1988 年美国加州成立，，全球纯 NAND 闪存龙头，只做闪存、不生产 DRAM/HDD。2016 年被西部数据 190 亿美元收购，2025 年 2 月分拆独立上市，2026 年初西数清仓全部股权，二者无任何股权关系。

无自有晶圆厂，与铠侠合资共建 3D NAND 工厂，共享 BiCS 堆叠颗粒；2026Q1 全球 NAND 市占 13.9%，位列全球第五，SD/microSD 存储卡、U 盘、移动固态、游戏存储，摄影存储卡等消费闪存全球市占超 40%，行业第一。

8、西部数据（ WD）：机械硬盘HDD全球第一

西部数据（Western Digital，简称WD）1970年成立于美国加州。于2025年2月完成与SanDisk（NAND闪存业务）的分拆，现为纯HDD业务公司，全球市占率42%，目前与希捷（Seagate，市占率42%）并列为全球两大硬盘制造商。

（二）喝汤：自研芯片、高端定制模组--赚溢价

国内A股中，目前大部分为喝汤的企业，他们的特质：① 有自研芯片② 高端定制能力，③ 毛利率 15%-30%以上，④ 无晶圆厂，⑤ 赚技术 / 认证溢价） 国产存储设计 公司。

1、兆易创新：国产 NOR Flash 第一

兆易无晶圆 Fabless 设计企业，国产 NOR Flash 第一，全球第二，同时布局利基 DRAM、MCU，依托长鑫代工生产存储芯片。 产品覆盖消费、工控、网通与低端车载，避开服务器大容量存储赛道，周期上行业绩弹性大。

属于存储喝汤第一梯队，产品线齐全，靠自研 IP 与渠道盈利，业绩随存储价格周期明显波动。截至2026年7月3日，总市值超过4700亿，存储市值第断层一。

下图：兆易创新闪存产品组合

2、澜起科技：内存互连芯片市场第一

全球DDR5内存接口芯片寡头，仅三家企业能量产，澜起市占全球第一，澜起科技以约36.8%的市占率位居全球内存互连芯片市场第一，与瑞萨、Rambus形成三足鼎立的寡头格局。其DDR5 RCD芯片市占率超50%，是AI服务器内存系统不可或缺的核心芯片。

牵头制定JEDEC国际内存标准，新玩家入场需要2-3年服务器严苛认证，壁垒极深。纯算力配套“卖铲人”，每台AI服务器内存条必须搭载其芯片，叠加PCIe Retimer、CXL互连芯片，深度绑定英伟达、华为昇腾，不受DRAM/NAND颗粒涨跌冲击。

轻资产Fabless，单季毛利率近70%、净利率超40%，现金流稳定，缺点是赛道单一，只做内存配套芯片，不做存储颗粒设计，市场空间上限不如多平台芯片企业。截至2026年7月3日，总市值超3200亿。

3、江波龙--国内存储模组第一

江波龙是国内最大、全球第二的独立存储器（存储模组）龙头，拥有FORESEE行业存储、Lexar雷克沙消费存储双自有品牌，覆盖企业级SSD、嵌入式、移动存储全品类。

自研SPU、UFS等系列主控芯片，长期与铠侠、长鑫锁价锁定晶圆产能，AI服务器存储是核心增长业务。

品牌渠道壁垒极强，规模与盈利弹性在模组企业中领先，高端封测外协为主，侧重整机与品牌运营。截至2026年7月3日，总市值超过2600亿.

4、佰维存储

采用“研发封测一体化”的商业模式，不生产存储颗粒（NAND/DRAM），而是向上游原厂采购颗粒，结合自研主控芯片、固件算法及自主封测，提供高度定制化的存储模组解决方案， 主打车载、工业、AI端侧嵌入式存储。

主要产品线包括 嵌入式存储：eMMC、UFS、ePOP、LPDDR等，广泛应用于智能手机、AI/AR眼镜、智能手表等智能终端。 PC存储：SATA/PCIe SSD、内存条等，主要面向PC前装及后装市场。 工车规存储：车规级eMMC/UFS、宽温SSD等，主要面向智能汽车（座舱、自动驾驶）及工业控制领域。

晶圆级SiP封装技术独树一帜，产品定制化程度高，车规与AI边缘存储带来高毛利溢价。

5、德明利

德明利构建了“主控芯片设计+模组方案”的垂直整合一体化，自研多代SSD/嵌入式闪存主控，国内少数掌握底层主控固件算法的企业。

产品覆盖AI服务器SSD、车载嵌入式、内存条，深度绑定长存国产颗粒，主打国产化算力存储方案。

自研主控带来技术溢价，弹性高，市值紧跟佰维存储，营收规模小于江波龙。目前总市值已超过2000亿元。

6、国科微

采用Fabless（无晶圆厂）模式，专注于芯片设计，存储仅为第二业务板块，核心主业是安防AI视觉解码、8K电视解码芯片，存储赛道体量偏小。自研GK23系列SSD主控，是国内少数通过国密国测双认证的安全主控，主攻政企、安防国产化存储。

存储无自有封测与模组大规模产能，仅输出主控芯片与少量SSD成品，业务权重远低于视觉芯片。

7、北京君正

君正采用Fabless（无晶圆厂）模式，专注于IC芯片设计，将制造外包给代工厂。 2020年君正收购 ISSI 转型车规存储厂商，主营 SRAM、车规DRAM/NOR，同样采用无晶圆设计模式。 车规 SRAM 全球市占领先，产品需严苛车载认证，客户绑定车企、智驾厂商，行业壁垒极高。

公司兼顾存储、车载 CPU、模拟芯片，下游集中汽车、工业等高可靠领域，周期波动弱于消费存储企业。

8、东芯股份

东芯是科创板利基存储设计公司，国内少数同时量产 SLC NAND、NOR、中小容量 DRAM 的企业 。 主打宽温工业、通信、安防存储，SLC NAND 寿命远超消费级，承接海外大厂放弃的中小容量市场。

中端喝汤标的，产品稳定性强，但市场空间小于兆易、君正，整体营收体量偏小。

9、普冉股份

专注超低功耗中小容量 NOR、EEPROM，自研 SONOS 工艺，功耗相比同类产品低两成以上。产品面向 IoT、穿戴、手机摄像头，逐步推进车规认证，EEPROM 实现 DDR5 SPD 国产替代。

细分赛道喝汤企业，单颗芯片价值低、营收规模最小，依靠低成本抢占嵌入式低端存储市场。

10、其他：高端2.5D/3D封装，能做HBM等国先进封装

（1）长电科技：

国内第一、全球第三综合封测龙头，全品类覆盖DRAM/NAND/NOR/HBM存储封装，国内少数能量产HBM3E堆叠。客户覆盖三星、美光、长鑫、长存，同时兼顾AI、射频、功率芯片封装，业务多元化抗周期。

高端存储先进封装毛利率显著高于普通封装，整体归类喝汤；传统消费封装业务属于啃骨头。截至7.3收盘，市值1626.22亿元，国内存储第一。

下图：长电科技-存储先进封装

（2）通富微电

算力先进封测标杆，HBM、FCBGA高端存储封装技术成熟，承接长鑫、长存高端存储订单。

主力客户AMD（美国超威半导体），兼顾AI算力芯片与高端存储封装，高端存储业务毛利率较高。存储为第二增长曲线，先进存储封装划入喝汤，普通消费封装偏啃骨头。

（3）深科技

国内稀缺存储专项封测企业，子公司沛顿是长鑫DRAM核心封测供应商，长存NAND主力合作方。聚焦DDR5、企业级闪存、HBM算力存储封装，几乎不做消费低端封装，存储业务占比极高。

绑定国产两大存储原厂，国产替代红利强，高端存储封测归喝汤。

（4）华天科技

全品类封测，量产NOR/NAND/DRAM存储封装，重点布局车规级存储封测，性价比优势突出。车规存储产线喝汤，低端消费封装啃骨头。

（三）啃骨头---低端消费组装/分销，薄利

啃骨头的几个标准是：纯组装 / 低端消费存储，分销商、普通封装、无自研芯片，毛利率 3%-12%，赚加工差价，竞争内卷。

1、香农芯创

公司走分销+自研存储双业务模式，90%核心收入来自半导体元器件分销，深度布局服务器高端存储赛道，毛利率较低，纯赚渠道差距、分销也比较卷。

自有品牌海普存储推出国产DDR5内存、企业级SSD，适配数据中心算力服务器，完成国内主流平台认证并批量出货。位于喝汤和啃骨头的边缘。

2、朗科科技

科是全球U盘发明者、老牌消费存储厂商，主营U盘、入门SSD、普通内存条，多外购公版主控，主打低端消费市场，毛利率常年偏低，属于产业链啃骨头环节。

实控人为韶关国资，依托本地算力枢纽布局企业级SSD与AI服务器存储，拥有闪存基础专利授权收益，逐步向政企算力存储转型。无自研存储颗粒与高端主控，上游依赖长存、长鑫颗粒供给，产品同质化竞争激烈，市值在同类存储企业中垫底，业绩受闪存周期波动冲击明显。

3、其他：

万润科技（消费模组）、盈方微（分销）、中电港（分销）、气派科技（消费级封装）、甬矽电子（先进封装较少）、利扬芯片（中低端存储测试）等。

P.S. : 以上是不完全盘点，排名只代表作者个人观点，不代表企业真实水平，亦不构成投资建议。

五、总结&展望

全球存储产业链呈现典型金字塔利润分配格局，吃肉、喝汤、啃骨头只是产业链分工与盈利层级的客观划分，并非评判企业优劣的标准，各环节缺一不可，中下游更是多数企业完成原始积累、向上技术突破的必经阶段。

吃肉梯队，集中于产业链最上游，掌握核心供给与行业标准，拥有绝对定价权与高毛利率，是整条行业利润的核心来源。包含三星、SK海力士、美光等海外存储晶圆原厂，以及国内长鑫存储、长江存储；该行业壁垒极高、玩家稀缺，景气周期毛利率可达50%-80%，几乎吃满存储涨价与AI算力红利，具备穿越周期的盈利能力。

喝汤为中游有自研或高端工艺的企业，包括存储芯片设计、自研主控高端模组、掌握HBM封测、2.5D堆叠的先进封测的厂商。该梯队毛利率普遍18%-45%，依靠技术溢价盈利，但受上游颗粒价格牵制，周期波动明显，也是国产存储突围主力。大量企业依托存量业务持续向上游研发、高端工艺升级，逐步向吃肉环节靠拢。

而啃骨头集中在下游基础环节，低端消费存储组装、芯片分销、普通传统封测都在此列，同质化竞争激烈，毛利较薄，业绩极易受行情影响。

虽然啃骨头环节盈利空间有限，但这类业务能帮助企业稳定现金流、积累终端客户与供应链资源，不少企业以基础分销、低端组装为起步跳板，持续投入研发自研主控、布局先进封装，完成赛道层级跨越，是产业成长不可或缺的过渡载体。

总的来说，全球存储行业利润向上游高度集中，但完整产业循环离不开中下游配套；产业链环环相扣，无高低贵贱之分。

当前，我们很多企业是处于喝汤、啃骨头的中下游环节，但我们并不畏惧。

喝汤、啃骨头赛道的企业，不代表发展上限，反而为本土企业提供了落地、迭代、突破的成长土壤。

因为，我们始终相信，存储产业链如同登山，唯有在山脚蓄力，方能向峰而行，沉心深耕研发，他日终有登顶之时！

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来源：Aiden的硬科技行研