2025年6月底，注册资本高达3440亿元人民币，中国成立史上规模最大半导体投资基金--中国大基金三期正调整战略方向，重点攻克光刻机、光刻胶与芯片EAD等关键领域短板，以突破美国对中国技术发展的遏制。

2025年4月，日本经济产业省突然将EUV光刻胶、KrF/ArF光刻胶等12类半导体核心材料列入出口管制清单，并实施"三锁政策"；5月，日本将出口管制范围扩展至光刻胶上游原材料，包括高纯度氟化氢、光刻胶树脂、单体等23种关键材料，这直接卡住了中国14nm以下制程的咽喉。

光刻胶，作为光刻三剑客之一（其余为光刻机+光掩膜），是光刻环节关键耗材，直接关乎芯片的质量与良品率。当全球超过90%的半导体光刻胶被日本和美国等头部厂商垄断，当我国KrF/ArF级别光刻胶自给率仅不到5%时，EUV 光刻胶尚处于研发阶段，国产化率几乎为0。

我国半导体产业正面临最残酷的生存命题。今天我们来研究光刻胶。

下文从：① 光刻胶基础知识扫盲；② 全球市场和竞争格局；③ 发展历史；④ 产业链；⑤ 细分标的，五大维度，梳理光刻胶这一急需国产替代的行业。

一、光刻胶基础知识扫盲

1、概念

光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种光敏感的耐蚀刻薄膜材料，主要由树脂、感光剂、溶剂和添加剂等材料组成，为混合液体，经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料。

光刻胶经过旋涂、前烘、曝光、后烘、显影等工序后，可以将光掩模板上的微纳图形转移到光刻胶上，结合后续工艺实现目标材料的图案化和阵列化。

芯片的制程精度、性能以及良率，很大程度上都取决于光刻胶的质量和性能，光刻胶的技术水平决定了半导体产业的发展高度。

2、光刻胶主要参数

光刻胶主要参数包含分辨率、对比度、敏感度、粘度、粘着力、抗蚀性、表面张力方面。光刻胶的主要参数对其性能和适用范围有重要作用，通过调整参数，可以提高光刻工艺的效率和精度，有利于提升半导体芯片良率和性能。

知识卡片：

分辨率：在硅片上区别表面相邻图形特征的能力。临界尺寸(CD,Critical Dimension)是衡量分辨率的一个主要标准。临界尺寸越小，分辨率就越高。

对比度：曝光部分到未曝光部分的陡度，对比度越高，形成的图形壁就越陡峭，曝光部分和未曝光部分的差异就越明显，分辨度也就越好。

敏感度：在硅片上的光刻胶中形成一个明确的特征所需的最小能量，以毫焦/平方厘米为单位。当使用深紫外(DUV)或极紫外(EUV)时，光刻胶的灵敏度很重要。

粘度：衡量光刻胶内部的摩擦力，影响光刻胶流动的容易程度，当需要产生一个较厚的涂层时，将优先选择具有较高粘度的光刻胶。

粘着力：光刻胶和硅片之间的粘合强度，如果光刻胶从硅片上脱落，图形的一些特征就会丢失或损坏，会极大影响器件良品率。

抗蚀性：光刻胶在之后的处理过程中抵抗高温、不同 pH 值环境或离子轰击的能力。

表面张力：由液体引起的张力倾向于使其向一团聚集，这是由表面层中的颗粒的吸引力造成的。为了更好的覆盖硅片表面，要求光刻胶具有相对较低的表面张力。

3、分类

根据曝光波长、显示效果、光化学反应类型三种不同机理可分为不同类型。

（1）按曝光波长：可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（13.5nm，EUV 光刻胶）、电子束光刻胶、离子束光刻胶和 X 射线光刻胶。

（2）根据显示效果，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。其中，正性光刻胶是指在曝光后变为可溶的胶；负性光刻胶是指曝光后变为不可溶的胶。

（3）根据光化学反应类型，光刻胶可分为光聚合型、光交联型、光分解型和化学放大型。

（4）按照应用场景可将光刻胶分为半导体IC光刻胶、LPD平板显示光刻胶、PCB光刻胶三大类。

1）半导体IC光刻胶领域，主要的光刻胶类型包括 g线（436nm）、i 线（365nm）光刻胶、KrF （248nm）光刻胶和 ArF 193nm光刻胶、最先进的EUV 光刻胶（＜13.5nm）。

从用量看，ArFi 的用量最大（约占 38%），而 ArF、KrF、G/I 线和 EUV 的市场占比分别为10%、34%、16%和 2%。未来伴随芯片制程的缩进，EUV 和 ArF 光刻胶的市场占比有望进一步增长。

2）FPD（平板显示器）领域，光刻胶的类型同样包括 g、i 线光刻胶，但种类更加丰富，如彩膜用彩色光刻胶（Colorpohotresist，CR）和黑色光刻胶（Blackpohotresist，BR），以及用于薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）工序的光刻胶和触摸屏光刻胶等。

其中 TFT 基板和彩色滤光片夹着液晶，因此制作 TFT-LCD 面板需要用到两片玻璃，分别作为底层玻璃基板和彩色滤光片底板使用。彩色滤光片由 RGB 三种过滤片组成，通过三者混合调节各个颜色与亮度，使得液晶面板能够显示彩色图像。

LCD 面板能呈现彩色影像，主要靠彩色滤光片。彩色滤光片由玻璃基板、黑色矩阵（BM）、彩色光刻胶（RGB）、保护图层（OC）、间隔支柱（PS）、ITO 电极等构成。彩色光刻胶包括红色光刻胶、绿色光刻胶和蓝色光刻胶，是彩色滤光片显示颜色的关键。

3）印制电路板（PCB）领域，主要的光刻胶类型包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和感光阻焊油墨等。

4、光刻胶四大成分：

光刻胶是由树脂、光引发剂、添加剂和溶剂四种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

在原材料成本结构中树脂含量占比10-40%，成本占比最大。根据智研咨询数据，从成本结构来看，光刻胶树脂成本占比接近 50%，其次添加剂（单体）成本占比约为 35%，光引发剂及其他助剂成本占比 15%。

下面介绍前三种：

（1）树脂--光刻胶的“骨架”

光刻胶树脂是光刻胶的主要成分之一，是由成膜树脂等构成，被誉为光刻胶的“骨架”。成膜树脂用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架，决定光刻胶的硬度、柔韧性、粘附性和曝光精度。

光刻胶树脂是高分子聚合物，具有高分子的一些物理特性，如成膜特性、Tg（玻璃化温度）。光刻胶的树脂也有一定的化学特点，它必须可以与在光照下光致产酸剂产生的酸反应，或发生脱保护（化学放大型光刻胶），或与其他组分结合(传统 G/I线光刻胶)，或发生交联(负胶），从而发生在显影液中溶解度的变化。

当前，东洋合成、住友电木、三菱化学等日企控制全球80%光刻胶树脂产能，信越化学、JSR等垂直整合厂商垄断了高端树脂供应。

我国的博康化学、强力新材、圣泉集团、徐州博康等公司在实现ArF、KrF光刻胶树脂的生产方面已获得一定成果，但高端的EUV 光刻胶，由于设备受限，这块基本空白，需求非常依赖进口。

（2）光引发剂--曝光精度的保障

光敏材料是光刻胶成分中真正“对光敏感”的化合物，是光刻胶的重要组成成分。它在特定波长的光照下能够产生光化学反应，从而引发光刻胶的聚合或分解。光引发剂的性能直接影响光刻胶的感光灵敏度和分辨率。

半导体光刻胶用光敏材料主要分为 PAG光致产酸剂和 PAC感光化合物。

PAG：全称Photo-Acid Generator，即光致产酸剂，简称光酸，则是主要运用于在化学放大型体光刻胶中，它在在吸收光之后是产生酸，因此被称为“光酸”。包括 KrF 光刻胶（聚对羟基苯乙烯树脂体系）和 ArF 光刻胶（聚甲基丙烯酸酯树脂体系）、EUV 光刻胶，常温下为固态。

PAC：全称Photo-Active Compound，即感光化合物，是重氮萘醌酯化合物，主要用于线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g线/i 线光刻胶。

简单结构的光酸一步两步就可以合成，而复杂结构的光酸需要 5-6 步甚至 7-8步的合成步骤，步骤越长，每一步可能产生的杂质越多，造成纯化困难，最终的收率也会越低。而且，对于离子型光酸而言，其和金属离子同属离子态，性质有类似的地方，所以较难分开，这使得去金杂变得十分困难。

另外，光酸质量的稳定性主要体现在纯度的稳定，对于批量生产的光酸而言，实现金属离子含量小于 10ppb 相对比较容易，但要使每批光酸里的金属离子含量小于 1ppb 则十分困难，这是世界上头部企业才拥有的核心技术。因此，国内主要的光刻胶公司大多还是使用进口光酸，，如德国巴斯夫、日本黑金化成等。

（3）溶剂--光刻胶的“血液”

溶剂在光刻胶含量占比中是最大的原材料。其作用是将光刻胶中的树脂和感光剂溶解，使其均匀地涂布在硅片表面。溶剂可以调整光刻胶的粘度，使其适合涂覆过程，能够有效地溶解光刻胶中的树脂和光敏剂，以确保光刻胶的均匀性和性能。

常用的光刻胶溶剂有：丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)、氯仿、苯等。丙二醇甲醚醋酸酯是性能优良的工业溶剂，对极性和非极性的物质均有很强的溶解能力，适用于高档涂料、油墨各种聚合物等的溶剂。

5、光刻胶为什么壁垒那么高

一言以蔽之：配方复杂+苛刻纯度要求+认证周期长。

（1）极其复杂的配方

光刻胶的配方研发是通过几百个、几千个树脂、光酸和添加剂的排列组合尝试出来，其配方涉及多种化学成分的精确配比，无法通过现有产品反推配方，需要足够的研发资源和经验。

光刻胶配方设计工席主要包括主体树脂的结构设计、主体树脂的合成工艺、单体结构设计、单体合成工艺、PAG 研究、配方研究。

其中主体树脂的结构设计需要满足特定波长下透明度要求、与基片有良好的粘附力、具有高的抗干法腐蚀性等性能; 主体树脂的合成工艺需要满足调整单体、引发剂投料比例，树脂的分子量、分子量分布、金属离子控制，产率、性能都必须实现每批次间的稳定一致。

（2）苛刻的纯度要求

光刻胶的纯度直接影响芯片的良率和性能，任何微小的杂质都可能导致芯片出现缺陷。因此，光刻胶的纯度要求极高，需要控制在ppb（parts per billion，十亿分之一）甚至ppt（parts per trillion，万亿分之一）级别。例如，用于高端半导体制造的ArF光刻胶，其金属离子含量必须低于1ppb，否则可能会在光刻过程中引入杂质，导致芯片的电学性能下降。为了达到这样的纯度要求，企业需要建立严格的原材料采购和质量控制体系，对原材料进行多次提纯和检测，这无疑增加了生产成本和技术难度。

（3）认证周期长

通常情况下，半导体光刻胶的验证周期长达2-3年，在首次送样之后，需要经过PRS(基础工艺考核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量试产)、RELEASE(量产)四个阶段，期间需要进行参数和工艺反复修改才可获取客户批量订单。

国产光刻胶验证周期长，需要与客户高度协同。光刻胶厂商的原材料供应商也必须得到下游晶圆厂的认可，这些过程都有着极高的时间成本。

国内晶圆厂的当前诉求是实现ArF 光刻胶国外产品的国产化替代——“替代”实际上是一个“对标”的过程，即产品所有的性能参数都必须和国外供应商的产品完全匹配。而核心难点就在于“完全匹配”。这导致国产光刻胶验证过程周期非常长而且繁杂，某个关键参数的不匹配都可能会使开发必须从头推倒重来，这是 ArF 光刻胶国产化面临的最大挑战。

二、全球市场和竞争格局

1、市场

随着全球半导体制程向着更先进的7nm以下制程、更精细化方向发展，半导体光刻工艺和制程提升驱动各半导体光刻胶需求增长。2024 年全球光刻胶市场规模估计为 49.6 亿美元，预计到 2030 年将达到 67 亿美元，2025 年至 2030 年的复合年增长率（CAGR）为 5.24%。

其中，亚太地区2024年占全球市场份额45.74%。根据中商产业研究院发布的报告，2024年我国光刻胶市场规模约为80.5亿元，同比增长25.39%，预计2025年我国光刻胶市场有望突破100亿元。

2、竞争格局

目前半导体光刻胶市场90%被海外厂商掌控，头部厂商包括日本JSR、TOK、住友化学、信越化学、富士材料及美国陶氏化学等。其中，日本JSR 是全球最大、技术最领先的光刻胶龙头企业，其ArF高端光刻胶市场占有率全球第一，也是唯一有能力量产EUV光刻胶的企业，日本TOK光刻胶是全球最大的G线/I线、KrF光刻胶供应商。

我国光刻胶行业发展起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶等中低端产品，占比高达 94%，KrF和 ArF等半导体光刻胶等高端产品仍需大量进口。

下图：各半导体光刻胶的主要生产企业：

三、发展历史

1、起源阶段（20世纪20年代前）

1826年，法国发明家约瑟夫·尼塞福尔·涅普斯利用涂在抛光锡板上的“犹太沥青”拍摄了世界上第一张照片，可视为光刻胶的雏形。1839年，苏格兰发明家曼戈·庞东发现重铬酸盐明胶的感光潜力，随后英国科学家威廉·亨利·福克斯·塔尔博特借助重铬酸盐明胶开发了世界上第一套“光刻系统”，是凹版印刷的先驱。

2、 初步发展阶段（20世纪20年代-50年代）

1925年，美国柯达公司发现聚乙烯醇肉桂酸酯在紫外线下有很强的交联反应和感光度，并将其用于光学玻璃的光栅刻蚀，成为光刻胶的先驱。1954年，柯达公司的Minsk等人成功制备出光增感剂增感的聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶，这是第一个具有光固化性能的光刻胶。

3、 工业化应用阶段（20世纪50年代-70年代）

1958年，柯达研制出叠氮-橡胶系的负性光刻胶。1960年，又成功研制出邻重氮萘醌-酚醛树脂正性光刻胶，目前仍是电子制造业中使用最为广泛的光刻胶系。1968年，日本TOK研发出首个环化橡胶系光刻胶。

4、 分辨率提升阶段（20世纪70年代-90年代）

1972年，半导体工艺制程节点触及环化橡胶–双叠氮体系分辨率极限，重氮萘醌–酚醛树脂光刻胶体系应运而生，其曝光光源可以采用g线、i线。1983年，IBM公司研发出KrF光刻胶。20世纪90年代，化学放大光刻胶技术出现，通过在光刻胶曝光后的显影过程中引入化学放大机制，显著提升了光刻胶的分辨率。

5、 深紫外与极紫外时代（20世纪90年代-至今）

1995年，日本TOK成功突破KrF光刻胶技术，打破了IBM公司的垄断。2000年，日本JSR的ArF光刻胶正式作为下一代半导体0.13μm工艺的抗蚀剂。2002年，东芝开发出分辨率达到22nm的EUV光刻胶。2018年，国家科技重大专项极紫外光刻胶项目顺利通过国家验收。2024年，武汉太紫微光电科技有限公司率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，其新型光刻胶产品已通过半导体工艺量产验证。

四、产业链

光刻胶产业链上游：主要为树脂、光引发剂、溶剂、单体等专用化学品的原材料；中游：为电子化学品生产：依据应用范围不同分为PCB光刻胶、LCD光刻胶以及半导体光刻胶，其中半导体光刻胶对工艺要求更为精细；下游：各类电子元器件制造企业，主要是半导体、PCB、平板显示屏等领域。

1、上游：各类化学品原料

光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。生产光刻胶的原料包括光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体及其他助剂等。具体如下图：

2、中游：三类光刻胶生产

根据中国产业信息网数据，中国 PCB 光刻胶占比达 94%，而半导体光刻胶等高端产品仅占2%，仍需大量进口，自给率较低，尤其是 EUV 光刻胶国产目前还处于研发阶段。国产光刻胶行业与国际先进水也有两代的差距。未来随着光刻胶企业生产能力的提高，我国光刻胶生产结构有望进一步优化。

3、下游：各类电子元器件制造企业

光刻胶的下游应用主要集中在半导体、液晶显示（LCD）、印刷电路板（PCB）等领域：

（1）半导体领域

芯片制造：是光刻胶最重要的应用领域之一。在芯片制造过程中，光刻胶用于在晶圆上形成微细图形，通过光刻工艺将电路图案转移到晶圆上，从而实现芯片的制造。不同类型的光刻胶适用于不同的芯片制程和工艺要求，如g线光刻胶适用于0.5um以上的集成电路。

掩膜版制作：掩膜版是芯片制造中的关键部件，用于在光刻过程中将电路图案转移到晶圆上。光刻胶在掩膜版制作过程中也起着重要作用，通过光刻工艺在掩膜版上形成精确的图案。

（2）液晶显示LCD领域

彩色滤光片制作：彩色光刻胶和黑色光刻胶是制备彩色滤光片的核心材料。彩色光刻胶用于实现LCD面板的彩色显示，黑色光刻胶则起到遮光作用，提高显示面板的对比度。

TFT-LCD光刻胶应用：TFT-LCD光刻胶用于前段array制程中的微细图形电极加工，是LCD显示器实现彩色显示的关键器件。

（3）印刷电路板PCB领域

干膜光刻胶：压合在覆铜板上，通过曝光、显影将底片（掩膜板或阴图底版）上的电路图形复制到干膜光刻胶上，再利用干膜光刻胶的抗蚀刻性能，对覆铜板进行蚀刻加工，形成印制电路板的精细铜线路。

湿膜光刻胶：在PCB制造过程中，湿膜光刻胶通过涂布在覆铜板上，然后进行曝光、显影等工艺，形成电路图形，具有成本低、操作简便等优点，广泛应用于中低端PCB产品。

五、细分标的

以下为不完全列举：

1、上游原料：

① 博康化学：属博康集团，经营中高端光刻胶、光刻胶单体和光刻胶树脂，KrF、ArF单体材料及相应光刻胶，封装光刻胶。

② 强力新材：全球最大的光刻胶引发剂供应商，其光刻胶引发剂产品在全球市场占据重要地位，市占率超60%。在pcb干膜光刻胶引发剂市场占据绝对龙头地位。拥有KrF树脂、引发剂、单体等多种产品。

③ 圣泉集团：酚醛树脂(半导体级)、马来酰亚胺树脂、碳氢树脂( 高频高速。

④ 八亿时空：液晶显示材料龙头，是国内掌握TFT混合液晶核心技术，实现KrF树脂量产。

⑤ 彤程新材：高端酚醛树脂、KrF树脂、甲酚甲醛树脂、对羟基苯乙烯树脂、丙烯酸树脂。

⑥ 徐州博康：已经实现供应 ArF 和 KrF 原材料到成品光刻胶。

⑦ 康达新材：胶粘剂新材料领域的龙头，控股子公司彩晶光电投资2.89亿元建设“半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目”。

⑧ 溶剂：江苏华伦、怡达股份、滨州裕能等。

⑨ 单体：万润股份、瑞联新材等。

2、中游三大光刻胶制造

（1）半导体光刻胶

① 彤程新材：子公司北京科华是国内唯一能量产供应12寸晶圆厂的KrF光刻胶企业，市占率超40%，覆盖中芯国际、华虹等27家客户。

② 南大光电：国内唯一实现ArF光刻胶量产的企业，技术覆盖90nm至7nm逻辑芯片制程，产品通过中芯国际、长江存储等头部晶圆厂认证。宁波子公司专注ArF光刻胶研发，技术参数追平信越化学同类产品。

③ 上海新阳：国内少数具备全品类光刻胶研发能力的企业，产品覆盖i线、KrF、ArF干法及浸没式光刻胶，技术对标日本信越、JSR。KrF光刻胶已量产并供应中芯国际。ArF光刻胶进入客户端验证阶段，400万元营收背后是20余家晶圆厂的测试订单。

④ 晶瑞电材：子公司北京科华是国内唯一能量产供应12寸晶圆厂的KrF光刻胶企业，市占率超40%，覆盖中芯国际、华虹等27家客户。通过KrF光刻胶量产积累工艺经验，月产能突破1吨。

⑤ 华懋科技：光刻胶的隐形王者，光刻胶单体技术储备，覆盖30种ArF配方。

⑥ 国风新材：公司自主生产半导体封装PSPI光刻胶，具备出色的耐热性与机械性能，适配高温环境下的芯片封装需求。随着半导体封装市场扩容，产品快速崛起。

⑦ 鼎龙股份：是国内唯一一家全面掌握CMP抛光垫全流程核心研发技术和生产工艺的供应商，用在了KrF/ArF光刻胶的产业化项目。

⑧ 艾森股份：国内前二的半导体封装用电镀液及配套试剂企业，后成功切入光刻胶及配套试剂赛道，其中公司自研的先进封装用g/i线负性光刻胶是国产唯一量产产品。

⑨ 瑞红苏州：是目前我国唯一一家拥有全系列波长（436/365/248/193nm）光刻机研发平台的光刻胶生产企业。

（2）LCD显示面板光刻胶

① 雅克科技：公司光刻胶产品主要包括RGB彩色光刻胶、正性TFT光刻胶、CNT防静电材料以及光刻胶配套试剂。通过收购韩国企业切入LCD光刻胶，三星显示核心供应商地位稳固。

②飞凯材料 ：芯片封装材料龙头和显示光刻胶龙头，显示光刻胶全球市占率前三，其tft混合液晶全球市场占有率突破15%，还与京东方、lgdisplay携手开发下一代液晶。

③ 晶瑞电材：半导体+面板光刻胶协同发展，其紫外宽谱系列光刻胶多年来蝉联国内市占率榜首，i线光刻胶系列产品已稳定向国内半导体龙头企业供货，多款krf光刻胶已实现量产并持续放量，arf高端光刻胶也已实现小批量供货。

④ 八亿时空：AMOLED用PSPI材料完成中试验证，2024年KrF树脂量产在即。

（3）PCB光刻胶

① 容大感光：国内生产PCB感光油墨产品品种最为齐全的企业之，国内PCB光刻胶市占率19%，5G基站用干膜光刻胶通过华为认证。

② 广信材料：公司PCB光刻胶（阻焊油墨、湿膜光刻胶）是公司基石业务，2024年上半年占整体收入52.56%。新能源汽车用阻焊油墨打入比亚迪供应链，单月出货量突破200吨。

③ 强力新材：PCB用光引发剂实现进口替代，42.3%的营收占比彰显技术优势。

④ 久日新材：光固化材料技术储备领先，电子级光引发剂纯度达99.99%。

3、下游应用企业

① 中芯国际：全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆集成电路制造业领导者，对光刻胶的需求量巨大，是众多光刻胶企业的核心客户之一。

② 长江存储：专注于3D NAND闪存芯片的设计、研发、生产和销售，其芯片制造工艺对光刻胶的性能和质量要求极高，是光刻胶在半导体存储芯片制造领域的关键应用企业。

③ 京东方：全球半导体显示产业龙头企业，也是全球物联网创新企业，其在显示面板制造过程中大量使用光刻胶，对光刻胶的性能和质量要求较高，与多家光刻胶企业有合作关系。

④ TCL华星：主要从事半导体显示面板的研发、生产和销售，其在液晶面板、柔性显示面板等领域具有较强的竞争力，对光刻胶的需求也较为旺盛。

⑤ 深南电路：是国内高端印制电路板（PCB）的领军企业，产品广泛应用于通信、计算机、工业控制、医疗等领域。在PCB的制造过程中，光刻胶是实现图形化和电路连接的关键材料，深南电路是光刻胶在PCB领域的应用龙头之一。

⑥ 沪电股份：专注于高端PCB的研发、生产和销售，其产品在通信、汽车电子等领域具有较高的市场份额。公司对光刻胶的质量和性能要求较高，是光刻胶在PCB领域的应用企业之。

来源：Aiden的硬科技行研