HW公布HBM专利（附股）

国内分析人士指出，想要突破HBM技术门槛，国内企业首先需要生产出一流的DRAM，然后再向3D堆叠技术发展。先进DRAM的技术门槛和制造工艺要求极高，同时也依赖于EUV曝光机的支持。

从DRAM向HBM转型，需要克服如TSV技术和堆叠键合工艺等多项关键技术的挑战。国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础，但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平，且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验有所不足。

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来源：A股训练营