存储芯片利好频传底部渐进，一览相关个股
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来源：天风证券
价格端：海内外原厂 2023 年 5 月起先后涨价 3%-5%，渠道端多积极信号
国内原厂，长江存储宣布将针对企业级客户调升 NAND 价格 3%~5%。海外原厂方面，在长存宣布涨价后，2023 年 5 月 19 日传韩国三星电子、SK 海力士也将跟进涨价，韩国半导体厂商存储产品的价格涨幅同样在 3%~5%，市场价格复苏有望快于预期。
渠道端看，NAND 和 DRAM 颗粒/产品部分日度涨价意味着下跌态势趋缓，据 WIND 数据，自 2023 年 3 月以来，64Gb 8Gx8 MLC 现货平均价震荡上行， 其中 4 月 3/6/25 日均出现涨价。最常见的 DRAM 产品之一 DDR4 16Gb 2600 的现货价格在 2023 年 4 月 11 日上涨 0.78%，成为自 2022 年 3 月 7 日以来的首次价格上涨。
供给需求端：海外大厂陆续减产/削减资本开支，供需格局改善迹象加速显现
供给端各原厂相继减产/削减资本开支，供需格局有望持续改善。2023 年 4 月三星宣布减产规划。早前 2022Q4 各原厂大幅削减资本开支，如果按正常生产周期 3-4 个月来看，供给有明显收缩减产效果将在 2023 Q2Q3 加速显现。此外，铠侠与西部数据加快合并谈判释放周期见底信号，合并后将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场、与全球最大的存储芯片制造商三星相抗衡（计划中，有不确定性）。合并后竞争格局或将推动存储行业价格进一步触底、复苏拐点更快来临。
库存端，各原厂 2023Q1 库存均已达到三年来高位，美光库存率先大幅度环比下滑，美光预计未来几个月的供需平衡状况将逐步改善。需求端回暖信号明显，中芯国际 2023Q1 业绩说明会表示，嵌入式非挥发性存储器和专用存储器 NOR Flash、NAND Flash 已看到回暖迹象，相关收入环比增长超过两成。
空间端：短期来看 2023Q2 起规模或将逐季增长，长期来看 AI 催化下存储需求数倍提升
短期来看，市场端一季度或将为 2023 年最低点，闪存市场预测 2023Q2 起规模或将逐季增长。分季度来看，2022年四季度存储市场规模已经回到 2019 年一、二季度的周期底部水平，在淡季效应下 2023 年一季度将环比续跌，从 2023 年二季度起，存储市场规模有望逐季增长。
长期来看，美光预计 Al 服务器可以拥有常规服务器八倍的 DRAM 容量和三倍的 NAND 容量。随着 AI 应用需求提升，存储行业市场规模有望加速成长。SK 海力士的 HBM3 带宽达 819GB/S，约达双通道 DDR5 5200 的 10 倍，人工智能等应用市场兴起，催生高带宽内存 HBM 并推动着其向前走更新迭代。根据 Omdia， 2025 年 HBM 市场的总收入将达到 25 亿美元。
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1）存储芯片：兆易创新/北京君正/东芯股份/普冉股份/恒烁股份等
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5）待上市公司：长江存储/长鑫存储/得一微/联芸科技/芯天下等
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